用铠侠BiCS Flash，为AI算力创造新可能

AI的用铠计算、数据传输与存储已经成为当下数据中心和服务器端最为关注的力创问题之一。在有限的造新空间和成本内如何实现更高的收益，如何让存储方案给计算单元提供充足的用铠数据支持，加速数据交换，力创节省电力和散热成本都值得探讨，造新其中就包括闪存技术如何扮演起关键角色。用铠

闪存技术最初被广泛应用在消费级产品中，力创旨在缩小存储方案占用空间、造新提升性能。用铠随着闪存技术的力创不断升级，这项技术已经从成为消费级产品存储主力，造新并紧接着在网络、用铠云计算的力创企业级存储中提供高速的数据存取支持。

如今数据存储正在迈向AI时代，造新通过大量创新型的存储方案创造更多可能性。例如，为了使用GPU处理这些数据并进行AI训练和推理，高性能、大容量、低功耗的闪存设备必不可少。例如铠侠第八代BiCS Flash已经在企业级产品中被广泛使用，其TLC产品表现在业内受到好评，已经出现在诸多消费级SSD和企业级SSD中，同时也运用在铠侠数据中心级CD9P系列和企业级CM9系列中。

第八代BiCS Flash的QLC产品在近期凭借着铠侠LC9系列的245.76TB NVMe SSD成功出圈，已经开始帮助部分企业实现PB级数据管理，加速基础设施现代化，以支持生成式AI和机器学习应用。

这是一项艰巨的工程。在狭小的空间内构建一块245.76TB的SSD，需要应用到2Tb的第八代BiCS Flash QLC，在单个存储芯片封装内实现32层堆叠，并进而构建出245.76TB的容量。与此同时，第八代BiCS Flash QLC还与创新型的CBA技术结合，以获得更高的传输速率，足以确保LC9系列满足AI基础设施的需求。

与此同时，第八代BiCS Flash的TLC和QLC也已经在UFS 4.0、UFS 4.1产品中展开应用。其中，UFS 4.1是JEDEC于今年初发布的最新一代移动存储标准，它在UFS 4.0的基础上进一步优化性能、能效和可靠性，在速度上接近NVMe SSD，通过多项新机制提升了系统响应速度、数据安全性和能效表现，是2025年旗舰级移动设备、车规级系统的理想选择之一。

在不久的将来，铠侠还将推出第九代BiCS Flash和第十代BiCS Flash产品，两代产品继续使用突破性的CBA技术。

其中，第十代BiCS Flash使用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA协议，并将NAND接口速度提升至4.8Gb/s，输入和输出功耗进一步降低，从而获得更好的效能表现。同时，第十代BiCS Flash还将存储层数增至332层，并优化晶圆平面布局以提高平面密度，使位密度进一步提升。

从UFS到SSD产品，铠侠BiCS Flash已经在广阔领域中证明了高效、可靠以及经济性。铠侠将坚持围绕更高的性能、更大的容量、更低的能耗、优化的成本四个维度打造创新存储解决方案，给未来存储提供更多的可能性。

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